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制御回路やMOSFET スイッチだけでなくMEMS 技術で製造したインダクタもチップに内蔵 |
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必要な外付け部品は2~3個のセラミックコンデンサのみ |
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ワンチップ化による基板面積の削減、設計、検証時間の削減 |
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外付け部品、アッセンブリ、基板面積までを含めたトータルコストの削減 |
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低オン抵抗、低ゲート容量の、独自の EDMOS パワーFETの採用により、5MHzの高周波数動作でも90%以上の高効率を実現 |
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低発熱、小フットプリントにより、負荷の直近に配置が可能な真の POL
電源 |
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更に超低プロファイル製品はモバイル機器等の薄い製品に組み込み可能 |
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高周波信号を全てチップ内に収めることによるEMI ノイズの減少 |
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高周波数動作による良好な過渡特性 |
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一般的なチップの電圧が抵抗デバイダを使わず3つのVIDピンにより設定可能 |
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鉛フリー対応 |