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| MEMSOIは、Tronics Microsystems(フランス)が提供するマルチユーザ向けMEMS試作サービスです。SOI（シリコン・オン・インシュレータ）ウェハを使用するサーフェイス・マイクロマシニング製法で、1999年以来多くの試作実績を有しています。 |
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| MEMSOIには、厚さ60μmの単結晶シリコン基板が使用され、低ストレスで高精密な構造体を形成します。試作プロセスは、まずユーザからの申込みに応じ、Tronics Microsystems社はユーザにMEMSOIのデザインルールを開示します。ユーザはデザインルールに従って申込みするRUNスケジュールに合わせ、マスクレイアウトを作成します。ご提出いただくマスクレイアウトはGDSフォーマットになります。マスクレイアウトは、Tronics Microsystems社のプロセス工程に送られ、犠牲層を除去後、最大２０チップにてお渡しします。 |
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ウェハレベルパッケージされた60μm厚膜SOI高アスペクトマイクロマシン技術の高品質なマルチ・プロジェクト・ウェハサービスです。
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| 試作例 |
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静電容量型センサ |
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静電型ミラー |
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静電アクチュエータ |
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小型発電機関 |
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高Q値レゾネータ |
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マイクロ流体構造 |
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ダイサイズ(mm) |
4 x 4 |
4 x 8 |
8 x 8 |
一般価格 |
\669,375 |
\892,500 |
\1,338,750 |
アカデミック価格 |
\446,250 |
\624,750 |
\892,500 |
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※1 価格は消費税が含まれております。
※2 記載の価格は、予告なしに変更されることがあります。 |
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ダイサイズ (mm) |
4 x 4 |
4 x 8 |
8 x 8 |
アクティブエリア (mm) |
3.5 x 3.5 |
3.5 x 7.5 |
7.5 x 7.5 |
パッド又はホール数 |
最大12 |
最大18 |
最大24 |
SOI |
SOI = 60µm BOX= 2 µm Bulk = 450µm |
処理 |
犠牲層リリース、ウェハレベルパッケージ |
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Run |
デザインの提出期限 |
出荷時期 |
Run N |
4月1日 |
7月15日 |
Run N+1 |
10月1日 |
1月15日 |
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＊本スケジュールはTronics社（フランス）のスケジュールになります。
お申込みの際には↓
丸紅情報システムズ株式会社 TEL:03-5778-8580までご連絡ください。 |
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複数ユーザからデザインを集めるＭＰＷ(マルチ・プロジェクト・ウェハ) |
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デザインハンドブック デザインルールとプロセスフローを開示 |
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ソフトウェアDRC（デザインルールチェック） |
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ダイサイズを3種類から選択： 4×4(mm)、4x8(mm)、8x8(mm) |
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リリース済み構造体 |
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ワイヤーボンディング可能なプロテクティブ・シリコンキャップ（Low vacuum状態での封止も可能） |
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周辺に各ダイサイズの応じた数のパッド又はホールを配置可能 |
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| ＊記載の製品名等は、各社メーカーの商標またはそれに準じる登録を受けています。＊記載の機能、仕様等は、改良のために予告なしに変更することがあります。 |
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