設計、モデリング、シミュレーション

• Coventor MEMS Designer
• COMSOL Multiphysics (FEM)
• Matlab Simulink

キャラクタライゼーション

• プロダクト特定なキャラクタライゼーションベンチ
• 高精度な位置及び評価テーブル
• 低Ｇ加速度計キャラクタライゼーション用ローテーションステージ
• 圧力センサーベンチ
• 自動スタティック・ダイナミックウェハプローバー
• ネットワーク　アナライザ
• カルマティックチャンバー

• 落下衝撃テスト(20,000G)
• 遠心力テスト（26,000G）
• カルマティックチャンバー
• 真空パッケージエイジングベンチ
• ボンドテスター(pull, push, shear and peel tests, tweezers)

プランニング、トレーサビリティ、クオリティコントロール

• プロダクションプランニングシステム
• Ｗefer In Ｐackageトラッキングシステム
• 物性供給から最終テストにいたるまでのトレーサビリティシステム
• Failure Modes and Effects Analysis (FMEA) メソドロジー及びツール
• SPC/QPC Statistical and Quality Process Controls　
• 装置及びプロセス工程能力管理　

リソグラフィー

• オントラックレジストコーティング及び開発
• ダブルサイドアラインメント
• 近接及びコンタクトフォトリソグラフィ
• シャドーマスク及びリフトオフプロセス

DRIE ディープドライエッチング

• ICP(Inductivity Coupled Plasma)反応（ボシュプロセス）ディープリアクティブイオンエッチング
• 高アスペクトレシオ（１：３０まで対応）DRIEマイクロマシンニング
• ディープトレンチDRIEプラズマエッチング
• レーザドリル

RIE及びプラズマエッチング

• RIE: Si, PolySi, SiO2 及び Si3N4 エッチング
• O2 プラズマエッチャー

ウェットケミカルエッチング

• 自動ウェットベンチ
• KOH 及びTMAHによるシリコンエッチング
• SiO2 及び Si3N4 エッチング
• ＨＦ犠牲層リリース
• メタルエッチング

薄膜デポジション及び電気メッキ

• LPCVD: SiO2 及び Si3N4
• PECVD: SiO2 及び Si3N4 低応力
• スパッタリング及び蒸着: Al, Cr, Au, Ti, TiN, W, Al, Cu, Ni, Pt...
• 電気メッキ: Au, SnPb, FeNi, Ni, Cu...
• アニール及び熱処理
• エピタキシー及びインプラント(外注)

ウェハボンディング

• 陽極接合
• シリコンダイレクト溶解ボンディング　SDB
• 共晶ボンディング
• 熱圧縮ボンディング
• 低温ポリマーシーリング

計測関係

• デジタルホログラフィック顕微鏡(3次元トポグラフィー、ダイナミックビヘービア)
• 走査電子顕微鏡(SEM)
• ウェハ表面粒子コントロールスキャン
• プロファイルメータ
• 光学及び赤外線顕微鏡
• 超音波、Ｘ線等　(外注)

ウェハレベルテスト

• 自動電気ウェハプローバー
• ダイナミックウェハプローバー(圧力、ジャイロ)
• インピーダンスメータ、4点プローバー
• ウェハマッピングソフトウェアシステム

薄層化、グラインディング、ポリッシング、ダイシング

• ウェハの薄層化
• グラインディング及びドライポリッシング
• ケミカルメカニカルポリッシング(CMP)
• シリコン及びガラスウェハのダイシング

アセンブリ及びパッケージ

• カスタム及び標準パッケージアセンブリ
• ピック&プレース方式ダイボンダ
• 自動及び手動ワイヤボンダ
• 精密溶接
• 高真空度カプセル化
• フリップチップマウント

テスト

• プロダクト及びアプリケーション個別テスト
• スタティック/ダイナミック　ダイテストベンチ
• スタティック/ダイナミック　コンポーネントテストベンチ
• ネットワーク　アナライザ（Ｑ値、共振及びカットオフ周波数）
• アンチスティッキングテスト
• 真空パッケージエイジングテスト
• 流体コンポーネントテスト
• Climatic chamber burn-in