半導体の市況が大きな浮き沈みがある中、MEMS業界は堅調に成長を遂げています。MEMSデバイスでは、素子部に可動部を持つという特徴から、これを保護するパッケージの重要性は高くなります。また、半導体パッケージに比べてコスト高になりやすく、この費用をいかに低く抑えるかが、大きな課題と考えられます。今後、MEMSパッケージではWLP（ウェハレベルパッケージ）技術が主流となるでしょう。ウェハレベルで封止を行えることから、テストの簡略化と大幅な小型化を実現します。また、現在のMEMSデバイスにおけるWLPパッケージ技術「ウェハボンディング方式」は、同じく中空層を持つイメージセンサーWLPと構造的に非常に似ており注目を集めています。

LSIは、微細化技術によって高性能化、低消費電力化を遂げてきました。しかし現在では、物理的なサイズ縮小に伴うリーク電流の増大やフォトリソ工程の光波長の技術的限界などの問題によって、3次元に積層化することでLSIの性能を高める技術が注目されています。トリガーとなったのが、Siチップを貫通するビアでチップ間を接続する貫通電極方式です。従来の2次元平面上に機能回路を集積する場合に比べ、チップ同士を最短で接続し、3次元化することで回路間の距離が短くなり、小型・高速・低消費電力など高性能化に有利です。さらに、ウェハでの積層は、チップ同士の積層やパッケージ同士の積層に比べて、高い生産性と高性能化が期待されています。

今まで人手や機械加工に頼っていた携帯電話機用カメラモジュールの組み立て・製造を、半導体メーカーが行えるようになってきました。それは、MEMS加工技術により、250℃以上の耐熱性を備えた樹脂レンズを利用した実用化フェーズに入ってきました。低コストの交耐熱レンズと貫通電極、ウェハレベル実装により、将来的にはイメージセンサーとレンズを含む、カメラモジュールすべての工程を、半導体生産のウェハレベルで行う「ウェハレベルカメラモジュール」を実現します。これにより、従来の樹脂製レンズよりは比較的低いコストで製造可能となります。このCMOSイメージセンサーは、携帯電話だけでなくノートPCや携帯ゲーム機での活用も想定しています。また自動車の車載用イメージセンサーに利用し、フロントバンパーやドアミラーに認知補助向けカメラとしてイメージセンサーを取り付け、死角の危険認識補助、周辺検知/車内検知、ナイトビュー、遠方認知カメラなどセーフティードライブ技術として、自動車業界から注目を集めています。

情報通信機器は、音声・画像・映像デジタル処理の需要増大により、小型軽量化、高機能化、高速化、低消費電力化が求められています。これに伴い、LSIの高速・高集積化や高密度実装が必要ですが、高速化に伴うクロストークや電磁輻射、電気配線による信号伝送の帯域制限などの問題で、CPUを含む処理回路の高速化が思うように進んでいません。このような情報通信機器のシステム性能向上のボトルネック（電気配線の限界は10Gbpsで1m）を解消するために、近年、光配線/電気光混載基板が注目されています。用途として、ルータ/スイッチ、サーバ、携帯電話、DSC、PDA、FA機器、デジタル薄型テレビ、MFP、ゲーム機、PCB/パッケージなどが考えられます。現在は、プリント配線基盤中のメタル導線で、電気的信号をやりとりしていますが、情報量の増加、高密度化による配線間の電磁場ノイズの影響などがあり、今後、光配線による通信が主流となるでしょう。また、レーザーダイオード(LD)はより実装に適したVicsel化が考えられます。