半導体の市況が大きな浮き沈みがある中、MEMS業界は堅調に成長を遂げています。MEMSデバイスでは、素子部に可動部を持つという特徴から、これを保護するパッケージの重要性は高くなります。また、半導体パッケージに比べてコスト高になりやすく、この費用をいかに低く抑えるかが、大きな課題と考えられます。今後、MEMSパッケージではWLP（ウェハレベルパッケージ）技術が主流となるでしょう。ウェハレベルで封止を行えることから、テストの簡略化と大幅な小型化を実現します。また、現在のMEMSデバイスにおけるWLPパッケージ技術「ウェハボンディング方式」は、同じく中空層を持つイメージセンサーWLPと構造的に非常に似ており注目を集めています。

LSIは、微細化技術によって高性能化、低消費電力化を遂げてきました。しかし現在では、物理的なサイズ縮小に伴うリーク電流の増大やフォトリソ工程の光波長の技術的限界などの問題によって、3次元に積層化することでLSIの性能を高める技術が注目されています。トリガーとなったのが、Siチップを貫通するビアでチップ間を接続する貫通電極方式です。従来の2次元平面上に機能回路を集積する場合に比べ、チップ同士を最短で接続し、3次元化することで回路間の距離が短くなり、小型・高速・低消費電力など高性能化に有利です。さらに、ウェハでの積層は、チップ同士の積層やパッケージ同士の積層に比べて、高い生産性と高性能化が期待されています。

今まで人手や機械加工に頼っていた携帯電話機用カメラモジュールの組み立て・製造を、半導体メーカーが行えるようになってきました。それは、MEMS加工技術により、250℃以上の耐熱性を備えた樹脂レンズを利用した実用化フェーズに入ってきました。低コストの交耐熱レンズと貫通電極、ウェハレベル実装により、将来的にはイメージセンサーとレンズを含む、カメラモジュールすべての工程を、半導体生産のウェハレベルで行う「ウェハレベルカメラモジュール」を実現します。これにより、従来の樹脂製レンズよりは比較的低いコストで製造可能となります。このCMOSイメージセンサーは、携帯電話だけでなくノートPCや携帯ゲーム機での活用も想定しています。また自動車の車載用イメージセンサーに利用し、フロントバンパーやドアミラーに認知補助向けカメラとしてイメージセンサーを取り付け、死角の危険認識補助、周辺検知/車内検知、ナイトビュー、遠方認知カメラなどセーフティードライブ技術として、自動車業界から注目を集めています。また、近年、積層型による高速イメージセンサーも開発されており、ウエハレベルでの高精度積載が加速化しております。

光通信分野では、受光素子や、LD（レーザダイオード）と光ファイバーを連結するSiベンチユニットにおいて、サブミクロンで高精度にチップ実装するパッシブアライメント方法が要望されています。さらに、Vicselによるマルチチャンネル化も進み、高精度接合には高い需要があります。従来のAu/錫ハンダでは溶融時の位置ずれが課題となっていましたが、Arプラズマによる表面活性化処理することで大気中でも常温~150℃の低温にて固相接合することが可能となりました。これにより接合精度が飛躍的に改善し、かつ、溶融させないため1秒での高速接合が可能となり量産性も向上しました。また、ハンダ以外にAuを電極として採用することで、より信頼性の高い実装も行われております。